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SIA923EDJ-T1-GE3

更新时间： 2024-09-27 21:12:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 864K
描述
VISSIA923EDJ-T1-GE3 DUAL P-CHANNEL 20 V

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SIA923EDJ-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, S-XDSO-N6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.56
Samacsys Description：Vishay SIA923EDJ-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor, 4.5 A, -20 V, 6-Pin SC-70外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A最大漏极电流 (ID)：4.5 A
最大漏源导通电阻：0.054 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-XDSO-N6JESD-609代码：e3
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：7.8 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SIA923EDJ-T1-GE3 数据手册

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SiA923EDJ  
Vishay Siliconix  
Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
Qg (Typ.)  
Definition  
TrenchFET® Power MOSFET  
- 4.5a  
- 4.5a  
- 4.5a  
- 1.5  
•
•
0.054 at VGS = - 4.5 V  
0.070 at VGS = - 2.5 V  
0.104 at VGS = - 1.8 V  
0.165 at VGS = - 1.5 V  
New Thermally Enhanced PowerPAK® SC-70  
Package  
- 20  
9.5 nC  
- Small Footprint Area  
- Low On-Resistance  
•
•
•
Typical ESD Protection: 2500 V  
100 % Rg Tested  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
PowerPAK SC-70-6 Dual  
•
Charger Switches and Load Switches for Portable  
Devices  
S1  
S2  
•
DC/DC Converters  
1
S1  
Marking Code  
2
G1  
D K X  
3
D1  
D2  
Part # code  
X X X  
D1  
G1  
G2  
D2  
Lot Traceability  
6
and Date code  
G2  
5
2.05 mm  
2.05 mm  
S2  
4
D1  
D2  
Ordering Information: SiA923EDJ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 20  
8
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
- 4.5a  
T
C = 25 °C  
- 4.5a  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
- 4.5a, b, c  
- 4.5a, b, c  
- 15  
- 4.5a  
- 1.6b, c  
7.8  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
5
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
1.9b, c  
1.2b, c  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
260  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Typical  
52  
Maximum  
Unit  
t ≤ 5 s  
Steady State  
65  
16  
°C/W  
RthJC  
12.5  
Notes:  
a. Package limited.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. See solder profile (www.vishay.com/doc?73257). The PowerPAK SC-70 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under steady state conditions is 110 °C/W.  
Document Number: 66803  
S10-1535-Rev. A, 19-Jul-10  
www.vishay.com  
1
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