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SIA915DJ-T4-GE3

更新时间： 2024-11-02 20:08:07

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	259K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, SC-70, POWERPAK-6

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SIA915DJ-T4-GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
外壳连接：	DRAIN	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	4.5 A
最大漏源导通电阻：	0.087 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-N6	JESD-609代码：	e3
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIA915DJ-T4-GE3 数据手册

New Product

SiA915DJ

Vishay Siliconix

Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)()

I_D(A)

Q_g(Typ.)

Definition

- 4.5^a

TrenchFET^®Power MOSFET

0.087 at V_GS= - 10 V

0.145 at V_GS= - 4.5 V

•

- 30

3.2 nC

New Thermally Enhanced PowerPAK^®

SC-70 Package

- Small Footprint Area

- Low On-Resistance

•

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

PowerPAK SC-70-6 Dual

•

Power Switch for Motor Drive for Portable Devices

S₁

Marking Code

G₁

D₁

D L X

X X X

D₂

Part # code

D₁

D₂

Lot Traceability

and Date code

G₂

2.05 mm

S₂

P-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

Ordering Information:

SiA915DJ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

V_DS

Limit

- 30

Unit

V_GS

Gate-Source Voltage

- 4.5^a

_C= 25 °C

_C= 70 °C

- 4.5^a

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

- 3.7^{b, c}

- 2.9^{b, c}

- 15

- 4.5^a

- 1.6^{b, c}

6.5

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

P_D

Maximum Power Dissipation

1.9^{b, c}

1.2^{b, c}

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

Maximum Junction-to-Case (Drain)

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

t  5 s

°C/W

R_thJC

Steady State

12.5

Notes:

a. Package limited.

b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 5 s.

d. See solder profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SC-70 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under steady state conditions is 110 °C/W.

Document Number: 67314

S11-0237-Rev. A, 14-Feb-11

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIA917DJ	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIA917DJ-T1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 20V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel and P-Channel
SiA918EDJ	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIA920DJ	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 8 V (D-S) MOSFET
SIA921EDJ	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIA921EDJ-T1-GE3	VISHAY	获取价格	MOSFET DUAL P-CH D-S 20V SC70-6
SIA921EDJ-T4-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SiA923AEDJ	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SIA923AEDJ-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SIA923EDJ	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

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