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SIA921EDJ-T1-GE3

更新时间： 2024-09-27 20:06:35

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	261K
描述
MOSFET DUAL P-CH D-S 20V SC70-6

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SIA921EDJ-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, S-XDSO-N6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.76
外壳连接：	DRAIN	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A
最大漏极电流 (ID)：	4.5 A	最大漏源导通电阻：	0.059 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-XDSO-N6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	7.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIA921EDJ-T1-GE3 数据手册

SiA921EDJ

Vishay Siliconix

Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

TrenchFET^®Power MOSFET

V_DS(V)

R_DS(on)()

I_D(A)

Q_g(Typ.)

Thermally Enhanced PowerPAK^®SC-70

Package

- 4.5^a

0.059 at V_GS= - 4.5 V

0.098 at V_GS= - 2.5 V

- 20

4.9 nC

- Small Footprint Area

- Low On-Resistance

•

Typical ESD Protection: 1700 V

High Speed Switching

Material categorization:

PowerPAK SC-70-6 Dual

S₁

For

definitions

compliance

please

see

G₁

www.vishay.com/doc?99912

D₁

D₂

APPLICATIONS

•

D₁

Load Switch, PA Switch and Battery Switch for Portable

D₂

Devices

DC/DC Converters

G₂

2.05 mm

•

2.05 mm

S₂

S₁

S₂

Ordering Information:

SiA921EDJ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

SiA921EDJ-T4-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

G₁

G₂

Marking Code

D F X

Part # code

X X X

P-Channel MOSFET

Lot Traceability

and Date code

D₁

D₂

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

- 20

Unit

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

- 4.5^a

_C= 25 °C

_C= 70 °C

- 4.5^a

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

- 4.5^{a, b, c}

- 3.7^{b, c}

- 15

- 4.5^a

- 1.6^{b, c}

7.8

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

P_D

Maximum Power Dissipation

1.9^{b, c}

1.2^{b, c}

T_J, T_stg

- 55 to 150

260

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

Maximum Junction-to-Case (Drain)

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

t  5 s

Steady State

°C/W

R_thJC

12.5

Notes:

a. Package limited.

b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 5 s.

d. See solder profile (www.vishay.com/doc?73257). The PowerPAK SC-70 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper

(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not

required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under steady state conditions is 110 °C/W.

Document Number: 64734

S12-2731-Rev. C, 12-Nov-12

www.vishay.com

For technical questions, contact:: pmostechsupport@vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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