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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI3456DDV-T1-E3
SI3456DDV-T1-E3 PDF预览

SI3456DDV-T1-E3

更新时间： 2024-11-29 12:14:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 198K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI3456DDV-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.62Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.3 A最大漏极电流 (ID)：5 A
最大漏源导通电阻：0.04 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.7 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI3456DDV-T1-E3 数据手册

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New Product  
Si3456DDV  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)d  
6.3  
Definition  
TrenchFET® Power MOSFET  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
0.040 at VGS = 10 V  
0.050 at VGS = 4.5 V  
•
•
30  
2.8 nC  
5.7  
APPLICATIONS  
•
•
•
Load Switch  
HDD  
DC/DC Converter  
TSOP-6  
Top View  
D
D
G
D
D
S
1
2
3
6
D
(1, 2, 5, 6)  
3 mm  
5
4
Marking Code  
AY XXX  
Lot Traceability  
and Date Code  
G
(3)  
Part # Code  
2.85 mm  
(4)  
S
Ordering Information: Si3456DDV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si3456DDV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
VGS  
Limit  
30  
20  
Unit  
V
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
6.3  
5.1  
5.0a, b  
4.0a, b  
20  
2.2  
1.4a, b  
2.7  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
T
C = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
T
C = 70 °C  
1.7  
Maximum Power Dissipation  
PD  
W
1.7a, b  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
1.1a, b  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
RthJF  
Typical  
61  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambienta, c  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
t ≤ 5 s  
Steady State  
74  
46  
°C/W  
38  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 5 s.  
c. Maximum under steady state conditions is 120 °C/W.  
d. Based on TC = 25 °C.  
Document Number: 69075  
S09-1399-Rev. B, 20-Jul-09  
www.vishay.com  
1
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SI3456DDV-T1-E3 替代型号

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