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SI3456DV_NF073

更新时间： 2024-11-30 15:51:11

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	125K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SUPERSOT-6

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SI3456DV_NF073 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.27
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	5.1 A
最大漏源导通电阻：	0.045 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI3456DV_NF073 数据手册

June 2002

Si3456DV

ꢀ

N-Channel PowerTrench MOSFET

General Description

Features

These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced

using Fairchild Semiconductor’s advanced Power

Trench process that has been especially tailored to

minimize the on-state resistance and yet maintain

superior switching performance.

S 5.1 A, 30 V.

R_DS(ON)= 45 mꢀ @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 65 mꢀ @ V_GS= 4.5 V

S High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

These devices are well suited for low voltage and

battery powered applications where low in-line power

loss and fast switching are required.

S Low gate charge

S High power and current handling capability

SuperSOT ^TM-6

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Ratings

Units

V_DSS

Drain-Source Voltage

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage

Drain Current – Continuous

– Pulsed

M20

5.1

(Note 1a)

P_D

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.6

0.8

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +150

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

LC/W

ꢁJA

ꢁJC

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

3000 units

.456

Si3456DV

7’’

8mm

Si3456DV Rev B

ꢀ2002 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5

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与SI3456DV_NF073相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI3456DVD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI3456DV-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI3456DVS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI3456DV-T1	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI3456DV-T1	TEMIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SI3456DV-T1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI3456DV-T2	TEMIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SI3456DV-T2-E3	TEMIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SI3456DV-T3	TEMIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SI3456DV-T3-E3	TEMIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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