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SI3457BDV-T1

更新时间： 2024-11-29 22:15:19

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威世 - VISHAY		/
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5页	69K
描述
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI3457BDV-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.89	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.7 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI3457BDV-T1 数据手册

Si3457BDV

Vishay Siliconix

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.054 @ V = −10 V

−5.0

−3.7

−30

0.100 @ V = −4.5

TSOP-6

Top View

(4) S

3 mm

(3) G

2.85 mm

(1, 2, 5, 6) D

P-Channel MOSFET

Ordering Information: Si3457BDV-T1

Si3457BDV-T1—E3 (Lead Free)

Marking Code:

7Bxxx

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

−30

"20

= 25_C

= 70_C

−3.7

−3.0

−5.0

−4.0

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

−20

Continuous Source Current (Diode Conduction)

−1.7

2.0

−0.95

1.14

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.3

0.73

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 5 sec

Steady State

62.5

110

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72019

S-40424—Rev. D, 15-Mar-04

www.vishay.com

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与SI3457BDV-T1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI3457BDV-T1-E3	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3457BDV-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 3700 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL
SI3457CDV	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3457CDV-T1-E3	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3457CDV-T1-GE3	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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