SI3458DV

更新时间： 2024-11-30 22:43:15

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威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管光电二极管
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4页	56K
描述
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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SI3458DV 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	3.2 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI3458DV 数据手册

_C/W

Si3458DV

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.10 @ V = 10 V

"3.2

"2.8

0.13 @ V = 4.5

(1, 2, 5, 6) D

TSOP-6

Top View

(3) G

3 mm

(4) S

2.85 mm

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

"60

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

"3.2

"2.5

"15

a, b

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Single Avalanche Current

"10

= 25_C

= 70_C

a, b

Maximum Power Dissipation

1.3

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 5 sec

Steady State

62.5

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

106

Maximum Junction-to-Lead

thJL

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board.

b. t v 5 sec.

Document Number: 70859

S-61517—Rev. B, 12-Apr-99

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

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