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SI3458DV-T-E3

更新时间： 2024-12-01 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
4页 64K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI3458DV-T-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.2 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
Base Number Matches：1

SI3458DV-T-E3 数据手册

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Si3458DV  
Vishay Siliconix  
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
FEATURES  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D TrenchFETr Power MOSFET  
Available  
D 100% Rg Tested  
0.10 @ V = 10 V  
3.2  
2.8  
GS  
D Lead (Pb)-Free Version is RoHS  
60  
0.13 @ V = 4.5  
GS  
V
Compliant  
(1, 2, 5, 6) D  
TSOP-6  
Top View  
1
2
3
6
3 mm  
5
4
(3) G  
2.85 mm  
(4) S  
Ordering Information: Si3458DV-T1  
Si3458DV-T1—E3 (Lead (Pb)-Free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
60  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
DS  
V
V
GS  
"20  
T
= 25_C  
= 70_C  
3.2  
A
a, b  
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
2.5  
A
Pulsed Drain Current  
I
15  
DM  
Single Avalanche Current  
I
AS  
10  
T
= 25_C  
= 70_C  
2
A
a, b  
Maximum Power Dissipation  
P
D
W
T
A
1.3  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 5 sec  
Steady State  
Steady State  
62.5  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
R
thJA  
106  
35  
_C/W  
Maximum Junction-to-Lead  
thJL  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board.  
b. t v 5 sec.  
Document Number: 70859  
S-50694—Rev. D, 18-Apr-05  
www.vishay.com  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI3459BDV VISHAY

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 		TRANSISTOR 2.2 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLI
SI3459DV VISHAY

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