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SI3458DV-T1-GE3

更新时间： 2024-12-01 21:19:11

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威世 - VISHAY		/
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9页	179K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI3458DV-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.81	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.2 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

SI3458DV-T1-GE3 数据手册

Si3458DV

Vishay Siliconix

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

3.2

Definition

0.10 at V_GS= 10 V

0.13 at V_GS= 4.5 V

•

TrenchFET^®Power MOSFET

100 % R_gTested

2.8

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

TSOP-6

Top View

(1, 2, 5, 6) D

3 mm

(3) G

2.85 mm

(4) S

Ordering Information: Si3458DV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si3458DV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

3.2

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^{a, b}

I_D

2.5

I_DM

I_AS

Pulsed Drain Current

Silngle Avalanche Current

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Maximum Power Dissipation^a,b

P_D

1.3

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

62.5

Unit

t ≤ 5 s

Maximum Junction-to-Ambient^a

Maximum Junction-to-Lead

R_thJA

Steady State

106

°C/W

R_thJL

Notes:

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

b. t ≤ 5 s.

Document Number: 70859

S09-0765-Rev. E, 04-May-09

www.vishay.com

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