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SI3457CDV-T1-GE3

更新时间： 2024-11-30 12:35:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
11页 198K
描述
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI3457CDV-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.61Samacsys Description：N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.1 A最大漏极电流 (ID)：5.1 A
最大漏源导通电阻：0.074 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

SI3457CDV-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si3457CDV  
Vishay Siliconix  
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
- 5.1  
Available  
• TrenchFET® Power MOSFET  
0.074 at VGS = - 10 V  
0.113 at VGS = - 4.5 V  
- 30  
5.1 nC  
- 4.1  
APPLICATIONS  
•
Load Switch  
TSOP-6  
Top View  
(4) S  
1
2
3
6
3 mm  
5
4
(3) G  
Marking Code  
AT XXX  
Lot Traceability  
and Date Code  
Part # Code  
2.85 mm  
(1, 2, 5, 6) D  
Ordering Information: Si3457CDV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si3457CDV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
Limit  
- 30  
20  
Unit  
V
VGS  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 5.1  
- 4.1  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
- 4.1b, c  
- 3.3b, c  
- 20  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
- 2.5  
- 1.67b, c  
Continuous Source-Drain Diode Current  
T
C = 25 °C  
3.0  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
2.0  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
2.0b, c  
1.3b, c  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
°C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Symbol  
RthJA  
RthJF  
Typical  
55  
Maximum  
62.5  
Unit  
t ≤ 5 s  
Steady State  
°C/W  
34  
41  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 110 °C/W.  
Document Number: 68602  
S09-0131-Rev. B, 02-Feb-09  
www.vishay.com  
1
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SI3457CDV-T1-GE3 替代型号

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