5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.26 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.004 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI3457DVL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| SI3457DVS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| SI3457DV-T3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| SI3458BDV | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
| SI3458BDV_09 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
| SI3458BDV-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
| SI3458BDV-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
| SI3458DV | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
| SI3458DV-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| SI3458DV-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
