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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI3458BDV-T1-GE3
SI3458BDV-T1-GE3 PDF预览

SI3458BDV-T1-GE3

更新时间： 2024-12-01 12:46:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 216K
描述
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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SI3458BDV-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.18Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.1 A最大漏极电流 (ID)：3.2 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Pure Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI3458BDV-T1-GE3 数据手册

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Si3458BDV  
Vishay Siliconix  
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)d  
4.1  
Definition  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
0.100 at VGS = 10 V  
0.128 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
60  
3.5 nC  
3.6  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
•
•
•
Load Switch for Portable Applications  
LED Backlight Switch  
DC/DC Converter  
TSOP-6  
Top View  
D
D
D
S
1
2
3
6
D
(1, 2, 5, 6)  
3 mm  
D
G
5
4
Marking Code  
AN XXX  
Lot Traceability  
and Date Code  
G
(3)  
Part # Code  
2.85 mm  
(4)  
S
Ordering Information: Si3458BDV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si3458BDV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
VGS  
Limit  
60  
20  
Unit  
V
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
4.1  
3.2  
3.2a, b  
2.5a, b  
10  
2.9  
1.7a, b  
3.3  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
T
C = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
T
C = 70 °C  
2.1  
Maximum Power Dissipation  
PD  
W
2a, b  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
1.3a, b  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
°C  
260  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
RthJF  
Typical  
53  
Maximum  
62.5  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambienta, c  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
t ≤ 5 s  
Steady State  
°C/W  
32  
38  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 5 s.  
c. Maximum under steady state conditions is 110 °C/W.  
d. Based on TC = 25 °C.  
Document Number: 69501  
S09-0660-Rev. B, 20-Apr-09  
www.vishay.com  
1
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SI3458BDV-T1-GE3 替代型号

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