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SI3457DV-T3

更新时间： 2024-11-30 14:28:27

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
5页	93K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSOP-6

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SI3457DV-T3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.27
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	4.3 A
最大漏源导通电阻：	0.065 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI3457DV-T3 数据手册

Si3457DV

Vishay Siliconix

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(

)

I_D(A)

0.065 @ V = –10 V

"4.3

"3.4

–30

0.100 @ V = –4.5 V

(4) S

TSOP-6

Top View

(3) G

3 mm

(1, 2, 5, 6) D

2.85 mm

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

–30

"20

= 25_C

= 70_C

"4.3

Continuous Drain Current (T = 150_C)

"3.4

"20

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

–1.7

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.3

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

62.5

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 5 sec.

Document Number: 70644

S-56944—Rev. C, 23-Nov-98

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

12 3 4 5

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