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SI3456DVS62Z

更新时间： 2024-11-30 15:51:11

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	122K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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SI3456DVS62Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.27	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	5.1 A	最大漏源导通电阻：	0.045 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI3456DVS62Z 数据手册

October 2001

Si3456DV

N-Channel PowerTrench^MOSFET

General Description

Features

These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced

using Fairchild Semiconductor’s advanced Power

Trench process that has been especially tailored to

minimize the on-state resistance and yet maintain

superior switching performance.

• 5.1 A, 30 V. R_DS(ON)= 45 mΩ @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 65 mΩ @ V_GS= 4.5 V

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

These devices are well suited for low voltage and

battery powered applications where low in-line power

loss and fast switching are required.

• Low gate charge (4.8 nC typical)

• High power and current handling capability

SuperSOT ^TM-6

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Ratings

Units

V_DSS

Drain-Source Voltage

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage

Drain Current – Continuous

– Pulsed

5.1

(Note 1a)

P_D

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.6

0.8

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

R_θJA

R_θJC

°C/W

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

3000 units

.456

Si3456DV

7’’

8mm

Si3456DV Rev A

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5

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与SI3456DVS62Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI3456DV-T1	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI3456DV-T1	TEMIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SI3456DV-T1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI3456DV-T2	TEMIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SI3456DV-T2-E3	TEMIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SI3456DV-T3	TEMIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SI3456DV-T3-E3	TEMIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SI3457BDV	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3457BDV-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 3700 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpose
SI3457BDV-T1	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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