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SI3456DV-T1-E3

更新时间： 2024-11-30 14:35:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 83K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI3456DV-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.42Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：5.1 A最大漏源导通电阻：0.045 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI3456DV-T1-E3 数据手册

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Si3456DV  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D 100% Rg Tested  
0.045 @ V = 10 V  
5.1  
4.3  
GS  
30  
0.065 @ V = 4.5  
GS  
V
(1, 2, 5, 6) D  
TSOP-6  
Top View  
1
2
3
6
3 mm  
5
(3) G  
4
2.85 mm  
(4) S  
Ordering Information: Si3456DV-T1  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
DS  
V
V
GS  
"20  
T
= 25_C  
= 70_C  
5.1  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
4.1  
A
Pulsed Drain Current  
I
20  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
1.7  
2
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.3  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
_C/W  
62.5  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 5 sec.  
 
12345

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