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SI3457BDV-E3

更新时间： 2024-11-30 19:49:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 46K
描述
TRANSISTOR 3700 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpose Small Signal

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SI3457BDV-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.64配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：3.7 A
最大漏源导通电阻：0.054 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI3457BDV-E3 数据手册

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Si3457BDV  
Vishay Siliconix  
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.054 @ V = -10 V  
-5.0  
-3.7  
GS  
-30  
0.100 @ V = -4.5  
GS  
V
TSOP-6  
Top View  
(4) S  
1
2
3
6
5
(3) G  
3 mm  
4
(1, 2, 5, 6) D  
2.85 mm  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
5 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
-30  
DS  
V
"20  
GS  
T
= 25_C  
= 70_C  
-3.7  
-3.0  
-5.0  
-4.0  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
-20  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
-1.7  
2.0  
-0.95  
1.14  
0.73  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.3  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 5 sec  
Steady State  
Steady State  
53  
90  
25  
62.5  
110  
36  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72019  
S-03661—Rev. B, 07-Apr-03  
www.vishay.com  
1
 
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI3457BDV-T1 VISHAY

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 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3457BDV-T1-E3 VISHAY

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 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3457BDV-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 3700 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL
SI3457CDV VISHAY

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 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3457CDV-T1-E3 VISHAY

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 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3457CDV-T1-GE3 VISHAY

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 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3457DV FAIRCHILD

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 		Single P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
SI3457DV ONSEMI

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 		双P沟道逻辑电平PowerTrench® MOSFET
SI3457DV_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
SI3457DVD84Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o

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