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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI3456DV-T3 | TEMIC |
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Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SI3456DV-T3-E3 | TEMIC |
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Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SI3457BDV | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI3457BDV-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 3700 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpose |
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| SI3457BDV-T1 | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI3457BDV-T1-E3 | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI3457BDV-T1-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 3700 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL |
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| SI3457CDV | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI3457CDV-T1-E3 | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI3457CDV-T1-GE3 | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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