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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.66 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5.1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.045 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G | 元件数量： | 1 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI3456DV-T2-E3 | TEMIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SI3456DV-T3 | TEMIC |
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Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SI3456DV-T3-E3 | TEMIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SI3457BDV | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI3457BDV-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 3700 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpose |
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| SI3457BDV-T1 | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI3457BDV-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI3457BDV-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 3700 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL |
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| SI3457CDV | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI3457CDV-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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