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SI3456DV-T1

更新时间： 2024-11-30 14:35:47

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	83K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI3456DV-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.1 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI3456DV-T1 数据手册

Si3456DV

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D 100% R_gTested

0.045 @ V = 10 V

5.1

4.3

0.065 @ V = 4.5

(1, 2, 5, 6) D

TSOP-6

Top View

3 mm

(3) G

2.85 mm

(4) S

Ordering Information: Si3456DV-T1

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

5.1

Continuous Drain Current (T = 150_C)

4.1

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

1.7

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.3

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

62.5

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 5 sec.

12 3 4 5

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与SI3456DV-T1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI3456DV-T1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI3456DV-T2	TEMIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SI3456DV-T2-E3	TEMIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SI3456DV-T3	TEMIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SI3456DV-T3-E3	TEMIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SI3457BDV	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3457BDV-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 3700 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpose
SI3457BDV-T1	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3457BDV-T1-E3	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3457BDV-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 3700 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL