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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SUPERSOT-6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.25 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.1 A | 最大漏源导通电阻： | 0.045 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.6 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI3456DV_NF073 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SI3456DVD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SI3456DV-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI3456DVS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SI3456DV-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI3456DV-T1 | TEMIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SI3456DV-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI3456DV-T2 | TEMIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SI3456DV-T2-E3 | TEMIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SI3456DV-T3 | TEMIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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