SI3456DV

更新时间： 2024-11-30 06:11:35

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
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描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI3456DV 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.89	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.1 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI3456DV 数据手册

Si3456DV

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.045 @ V = 10 V

"5.1

"4.3

0.065 @ V = 4.5

(1, 2, 5, 6) D

TSOP-6

Top View

(3) G

3 mm

(4) S

2.85 mm

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

"30

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

"5.1

"4.1

"20

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

"1.7

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.3

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

62.5

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 5 sec.

Document Number: 70659

S-56945—Rev. B, 23-Nov-98

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SI3456DVD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI3456DV-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI3456DVS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI3456DV-T1	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI3456DV-T1	TEMIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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