是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
针数: | 6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 1.65 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2 A | 最大漏极电流 (ID): | 2 A |
最大漏源导通电阻: | 0.235 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | JESD-609代码: | e1 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 8 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SI3456DDV-T1-GE3 | VISHAY |
功能相似 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI3456DDV-T1-E3 | VISHAY |
功能相似 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
FDC855N | FAIRCHILD |
功能相似 |
Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench㈢ M |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RSQ025P03 | ROHM |
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DC-DC Converter (-30V, -2.5A) | |
RSQ025P03FRATR | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 0.165ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
RSQ025P03HZG | ROHM |
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RSQ025P03HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车 | |
RSQ025P03HZGTR | ROHM |
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暂无描述 | |
RSQ025P03TR | ROHM |
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暂无描述 | |
RSQ030N08HZG | ROHM |
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RSQ030N08HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车 | |
RSQ030P03 | ROHM |
获取价格 |
DC-DC Converter (−30V, −3A) | |
RSQ030P03FRATR | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
RSQ030P03TR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o | |
RSQ035N03 | ROHM |
获取价格 |
4V Drive Nch MOSFET |