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RSQ030P03FRATR

更新时间： 2024-11-29 13:13:03

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		转换器 DC-DC转换器
页数	文件大小	规格书
5页	96K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSMT6, 6 PIN

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RSQ030P03FRATR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	0.125 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A	参考标准：	AEC-Q101
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

RSQ030P03FRATR 数据手册

RSQ030P03

Transistor

DC-DC Converter (−30V, −3A)

RSQ030P03

zExternal dimensions (Units : mm)

zFeatures

1) Low On-resistance.(90mΩ at 4.5V)

2) High Power Package.

3) High speed switching.

4) Low voltage drive.(4.5V)

TSMT6

2.8

1.6

Each lead has same dimensions

Abbreviatedsymbol : TN

zApplications

DC-DC converter

zEquivalent circuit

zStructure

Silicon P-channel

MOSFET

(6)

(5)

(4)

zPackaging specifications

Package

Taping

Code

Type

Basic ordering unit

(pieces)

(1)DRAIN

(2)DRAIN

(3)GATE

3000

RSQ030P03

(4)SOURCE

(5)DRAIN

(6)DRAIN

(1)

(2)

(3)

1 ESD PROTECTION DIODE

2 BODY DIODE

1/4

12 3 4 5

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