Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> RSQ025P03FRATR

RSQ025P03FRATR

更新时间： 2024-11-29 13:01:11

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		转换器 DC-DC转换器
页数	文件大小	规格书
5页	73K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 0.165ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSMT6, 6 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RSQ025P03FRATR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.49
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	最大漏源导通电阻：	0.165 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

RSQ025P03FRATR 数据手册

RSQ025P03

Transistor

DC-DC Converter (-30V, -2.5A)

RSQ025P03

zExternal dimensions (Units : mm)

zFeatures

1) Low On-resistance.(120mΩ at 4.5V)

2) High Power Package.(P =1.25W)

TSMT6

2.8

1.6

3) High speed switching.

4) Low voltage drive.(4V)

Each lead has same dimensions

Abbreviatedsymbol : TP

zApplications

DC-DC converter

zEquivalent circuit

zStructure

Silicon P-channel

MOSFET

(6)

(5)

(4)

zPackaging specifications

Package

Code

Taping

Type

Basic ordering unit

(pieces)

(1)DRAIN

(2)DRAIN

(3)GATE

3000

RSQ025P03

(4)SOURCE

(5)DRAIN

(6)DRAIN

(1)

(2)

(3)

1 ESD PROTECTION DIODE

2 BODY DIODE

1/4

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

RSQ025P03FRATR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
RRL035P03FRATR	ROHM	功能相似	Small Signal Field-Effect Transistor,

与RSQ025P03FRATR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RSQ025P03HZG	ROHM	获取价格	RSQ025P03HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车
RSQ025P03HZGTR	ROHM	获取价格	暂无描述
RSQ025P03TR	ROHM	获取价格	暂无描述
RSQ030N08HZG	ROHM	获取价格	RSQ030N08HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车
RSQ030P03	ROHM	获取价格	DC-DC Converter (−30V, −3A)
RSQ030P03FRATR	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
RSQ030P03TR	ROHM	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
RSQ035N03	ROHM	获取价格	4V Drive Nch MOSFET
RSQ035N03FRATR	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
RSQ035N03HZG	ROHM	获取价格	RSQ035N03HZG内置G-S保护二极管的车载级MOSFET。