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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-70 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 1.54 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.033 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.8 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI1426DH | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI1426DH_05 | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI1426DH_08 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI1426DH_10 | VISHAY |
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N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
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| SI1426DH-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 2800 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-70, 6 PIN, FET General P |
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| SI1426DH-T1-E3 | VISHAY |
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Trans MOSFET N-CH 30V 2.8A 6-Pin SC-70 T/R |
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| SI1426DH-T1-GE3 | VISHAY |
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N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
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| SI1427EDH | VISHAY |
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P-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
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| SI1427EDH_17 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
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| SI1427EDH-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
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