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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-70 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.88 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 12 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.026 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.8 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI1424EDH | VISHAY |
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N-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
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| SI1424EDH-T1-GE3 | VISHAY |
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N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
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| SI1426DH | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI1426DH_05 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI1426DH_08 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| SI1426DH_10 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
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| SI1426DH-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 2800 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-70, 6 PIN, FET General P |
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| SI1426DH-T1-E3 | VISHAY |
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Trans MOSFET N-CH 30V 2.8A 6-Pin SC-70 T/R |
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| SI1426DH-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
|
| SI1427EDH | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
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