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PSMN1R1-25YLC

更新时间： 2024-09-17 11:15:11

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安世 - NEXPERIA		/
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15页	968K
描述
N-channel 25 V 1.15 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technologyProduction

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PSMN1R1-25YLC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
其他特性：	HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	253 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.0015 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-235	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1318 A
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PSMN1R1-25YLC 数据手册

PSMN1R1-25YLC

N-channel 25 V 1.15 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using

NextPower technology

Rev. 1 — 2 May 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK package. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

High reliability Power SO8 package,

Ultra low QG, QGD and QOSS for high

system efficiencies at low and high

loads

qualified to 175°C

Optimised for 4.5V Gate drive utilising

NextPower Superjunction technology

Ultra low Rdson and low parasitic

inductance

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Lithium-ion battery protection

Load switching

Power OR-ing

Server power supplies

Sync rectifier

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ

Max Unit

drain-source voltage

drain current

25 °C ≤ T_j≤ 175 °C

[1]

I_D

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

100

P_tot

T_j

total power dissipation T_mb= 25 °C; see Figure 2

junction temperature

215

175

-55

°C

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 4.5 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C;

see Figure 12

1.2

1.5

mΩ

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C;

0.95 1.15 mΩ

see Figure 12

12 3 4 5 6 7...15

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