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PSMN1R2-25YL

更新时间： 2024-09-17 11:13:31

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安世 - NEXPERIA		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	719K
描述
N-channel 25 V 1.2 mΩ logic level MOSFET in LFPAKProduction

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PSMN1R2-25YL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.19
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	677 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.00185 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	815 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PSMN1R2-25YL 数据手册

PSMN1R2-25YL

N-channel 25 V 1.2 mΩ logic level MOSFET in LFPAK

Rev. 01 — 25 June 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 150 °C. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

Advanced TrenchMOS provides low

Improved mechanical and thermal

RDSon and low gate charge

characteristics

High efficiency gains in switching

LFPAK provides maximum power

power converters

density in a Power SO8 package

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Lithium-ion battery protection

Load switching

Motor control

Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 150 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

[1]

100

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

121

150

T_j

junction temperature

-55

°C

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

drain-source

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C;

I_D= 100 A; V_sup≤ 25 V;

R_GS= 50 Ω; unclamped

677

avalanche energy

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 4.5 V; I_D= 25 A;

V_DS= 12 V; see Figure 12;

see Figure 13

11.9

50.6

Q_G(tot)

12 3 4 5 6 7...13

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PSMN1R2-25YL 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PSMN1R2-25YL	NXP	功能相似	N-channel 25 V 1.2 mΩ logic level MOSFET in L

与PSMN1R2-25YL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN1R2-25YLC	NXP	获取价格	100A, 25V, 0.0017ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, POWER-SO8, LFPAK-4
PSMN1R2-25YLC	NEXPERIA	获取价格	N-channel 25 V 1.3 mΩ logic level MOSFET in L
PSMN1R2-25YLC,115	NXP	获取价格	PSMN1R2-25YLC - N-channel 25 V 1.3 mΩ logic l
PSMN1R2-25YLD	NEXPERIA	获取价格	N-channel 25 V, 1.2 mΩ, 230 A logic level MOS
PSMN1R2-30YLC	NXP	获取价格	N-channel 30 V 1.25mΩ logic level MOSFET in L
PSMN1R2-30YLC	NEXPERIA	获取价格	N-channel 30 V 1.25mΩ logic level MOSFET in L
PSMN1R2-30YLC,115	NXP	获取价格	PSMN1R2-30YLC - N-channel 30 V 1.25mΩ logic l
PSMN1R2-30YLD	NEXPERIA	获取价格	N-channel 30 V, 1.2 mΩ, 250 A logic level MOS
PSMN1R2-55SLH	NEXPERIA	获取价格	N-channel 55 V, 1.03 mOhm, 330 A logic level Application Specific MOSFET in LFPAK88Product
PSMN1R3-30YL	NXP	获取价格	N-channel 30 V 1.3 mΩ logic level MOSFET in L

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