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PSMN1R3-30YL,115

更新时间： 2024-11-06 15:48:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 204K
描述
PSMN1R3-30YL - N-channel 30 V 1.3 mΩ logic level MOSFET in LFPAK SOIC 4-Pin

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PSMN1R3-30YL,115 技术参数

Source Url Status Check Date：2013-06-14 00:00:00是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.74Base Number Matches：1

PSMN1R3-30YL,115 数据手册

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PSMN1R3-30YL  
N-channel 30 V 1.3 mΩ logic level MOSFET in LFPAK  
Rev. 02 — 25 June 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Logic level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 150 °C. This product is  
designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic  
equipment.  
1.2 Features and benefits  
„ Advanced TrenchMOS provides low  
„ Improved mechanical and thermal  
RDSon and low gate charge  
characteristics  
„ High efficiency gains in switching  
„ LFPAK provides maximum power  
power convertors  
density in a Power SO8 package  
1.3 Applications  
„ DC-to-DC converters  
„ Lithium-ion battery protection  
„ Load switching  
„ Motor control  
„ Server power supplies  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference  
Symbol Parameter  
Conditions  
drain-source voltage Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 150 °C  
Min  
Typ  
Max Unit  
VDS  
ID  
-
-
-
-
30  
V
A
drain current  
Tmb = 25 °C; VGS = 10 V;  
see Figure 1;  
[1]  
100  
Ptot  
total power  
dissipation  
Tmb = 25 °C; see Figure 2  
-
-
-
121  
150  
W
Tj  
junction temperature  
-55  
°C  
Avalanche ruggedness  
EDS(AL)S non-repetitive  
drain-source  
VGS = 10 V; Tj(init) = 25 °C;  
ID = 100 A; Vsup ≤ 30 V;  
RGS = 50 Ω; unclamped  
-
-
383  
mJ  
avalanche energy  
Dynamic characteristics  
QGD  
gate-drain charge  
total gate charge  
VGS = 4.5 V; ID = 25 A;  
VDS = 12 V; see Figure 13;  
see Figure 14  
-
-
9.3  
-
-
nC  
nC  
QG(tot)  
46.6  
 
 
 
 
 
1234567...14

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