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HAT2168H-EL-E

更新时间: 2024-11-09 07:02:47
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瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
页数 文件大小 规格书
8页 89K
描述
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

HAT2168H-EL-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:LFPAK
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4针数:5
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:7.7Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):30 A
最大漏极电流 (ID):30 A最大漏源导通电阻:0.0135 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G4
JESD-609代码:e6湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):15 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):120 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:20
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

HAT2168H-EL-E 数据手册

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HAT2168H  
Silicon N Channel Power MOS FET  
Power Switching  
REJ03G0046-0700  
Rev.7.00  
Sep 20, 2005  
Features  
High speed switching  
Capable of 4.5 V gate drive  
Low drive current  
High density mounting  
Low on-resistance  
RDS(on) = 6 mtyp. (at VGS = 10 V)  
Outline  
RENESAS Package code: PTZZ0005DA-A)  
(Package name: LFPAK )  
5
D
5
4
G
4
3
2
1
1, 2, 3 Source  
4
5
Gate  
Drain  
S S S  
1 2 3  
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Drain to source voltage  
Gate to source voltage  
Drain current  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Ratings  
Unit  
30  
V
V
±20  
30  
A
Note1  
Drain peak current  
ID(pulse)  
IDR  
120  
A
Body-drain diode reverse drain current  
Avalanche current  
30  
A
Note 2  
IAP  
15  
A
Note 2  
Avalanche energy  
EAR  
22  
15  
mJ  
W
Channel dissipation  
Pch Note3  
θch-C  
Tch  
Channel to Case Thermal Resistance  
Channel temperature  
8.33  
°C/W  
°C  
°C  
150  
Storage temperature  
Tstg  
– 55 to + 150  
Notes: 1. PW 10 µs, duty cycle 1%  
2. Value at Tch = 25°C, Rg 50 Ω  
3. Tc = 25°C  
Rev.7.00 Sep 20, 2005 page 1 of 7  

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