HAT2175H

更新时间： 2024-11-25 07:02:47

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
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描述
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

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HAT2175H 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
针数：	5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.38
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.046 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HAT2175H 数据手册

HAT2175H

Silicon N Channel Power MOS FET

Power Switching

REJ03G0006-0400

Rev.4.00

Sep 20, 2005

Features

•

Capable of 8 V gate drive

Low drive current

High density mounting

Low on-resistance

R_DS(on)= 33 mΩ typ. (at V_GS= 10 V)

Outline

RENESAS Package code: PTZZ0005DA-A)

(Package name: LFPAK )

1, 2, 3 Source

Gate

Drain

S S S

1 2 3

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

100

± 20

Unit

Note1

Drain peak current

I_D(pulse)

Body-drain diode reverse drain current

Avalanche current

I_DR

Note 2

I_AP

Note 2

Avalanche energy

E_AR

22.5

Channel dissipation

Pch ^Note3

θch-C

Tch

Channel to Case Thermal Resistance

Channel temperature

8.34

150

°C/W

°C

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. Value at Tch = 25°C, Rg ≥ 50 Ω

3. Tc = 25°C

Rev.4.00 Sep 20, 2005 page 1 of 7

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