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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | WPAK |
| 包装说明： | WPAK-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.33 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.23 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-XDSO-N5 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HAT2193WP | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| HAT2193WP_09 | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| HAT2193WP-EL-E | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| HAT2195R | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| HAT2195R-EL-E | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOSFET Power Switching |
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| HAT2196C | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET Power Switching |
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| HAT2196C-EL-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET Power Switching |
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| HAT2197R | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| HAT2197R-EL-E | RENESAS |
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Nch Single Power MOSFET 30V 16A 6.7mohm SOP8 |
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| HAT2198R | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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