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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> HAT2172H-EL-E
HAT2172H-EL-E PDF预览

HAT2172H-EL-E

更新时间： 2024-11-21 07:02:47
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瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
页数 文件大小 规格书
8页 89K
描述
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

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HAT2172H-EL-E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：LFPAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4针数：5
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.22Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A
最大漏极电流 (ID)：30 A最大漏源导通电阻：0.0092 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：20 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

HAT2172H-EL-E 数据手册

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HAT2172H  
Silicon N Channel Power MOS FET  
Power Switching  
REJ03G0132-0500  
Rev.5.00  
Sep 20, 2005  
Features  
•
•
•
•
•
High speed switching  
Capable of 7 V gate drive  
Low drive current  
High density mounting  
Low on-resistance  
RDS(on) = 5.8 mΩ typ. (at VGS = 10 V)  
Outline  
RENESAS Package code: PTZZ0005DA-A)  
(Package name: LFPAK )  
5
D
5
4
G
4
3
2
1
1, 2, 3 Source  
4
5
Gate  
Drain  
S S S  
1 2 3  
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Drain to source voltage  
Gate to source voltage  
Drain current  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Ratings  
Unit  
40  
±20  
V
V
30  
A
Note1  
Drain peak current  
ID(pulse)  
IDR  
120  
A
Body-drain diode reverse drain current  
Avalanche current  
30  
A
Note 2  
IAP  
20  
A
Note 2  
Avalanche energy  
EAR  
32  
mJ  
W
Channel dissipation  
Pch Note3  
θch-C  
Tch  
20  
Channel to Case Thermal Resistance  
Channel temperature  
6.25  
150  
°C/W  
°C  
°C  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%  
2. Value at Tch = 25°C, Rg ≥ 50 Ω  
3. Tc = 25°C  
Rev.5.00 Sep 20, 2005 page 1 of 7  
12345678

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