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| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 |
| 针数： | 5 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.24 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 25 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0175 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| HAT2173H-EL-E | RENESAS |
功能相似  |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HAT2173H-EL-E | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| HAT2173N | RENESAS |
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| HAT2174H | RENESAS |
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| HAT2175H | RENESAS |
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| HAT2175H_15 | RENESAS |
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| HAT2175H-EL-E | RENESAS |
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