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HAT2168H

更新时间： 2024-11-20 22:39:15
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
页数 文件大小 规格书
10页 78K
描述
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

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HAT2168H 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Not Recommended包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
针数：5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.22
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：30 A
最大漏源导通电阻：0.0135 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G4元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

HAT2168H 数据手册

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HAT2168H  
Silicon N Channel Power MOS FET  
Power Switching  
REJ03G0046-0600Z  
Rev.6.00  
Jun.02.2003  
Features  
•
•
•
•
•
High speed switching  
Capable of 4.5 V gate drive  
Low drive current  
High density mounting  
Low on-resistance  
RDS(on) = 6.0 mΩ typ. (at VGS = 10 V)  
Outline  
LFPAK  
5
4
3
2
1
5
D
4
G
1, 2, 3 Source  
4
5
Gate  
Drain  
S
1
S
2
S
3
Rev.6.00, Jun.02.2003, page 1 of 10  
1234567...10

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HAT2168H 替代型号

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