Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> PSMN1R5-25YL

PSMN1R5-25YL

更新时间： 2024-11-06 06:05:35

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
13页	200K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FET

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PSMN1R5-25YL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, LFPAK-5	针数：	235
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	雪崩能效等级（Eas）：	290 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	100 A
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.0022 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-235
JESD-30 代码：	R-PSSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	109 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	815 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PSMN1R5-25YL 数据手册

PSMN1R5-25YL

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 01 — 16 June 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

industrial and communications applications.

1.2 Features and benefits

High efficiency due to low switching

Suitable for logic level gate drive

and conduction losses

sources

1.3 Applications

Class-D amplifiers

Motor control

DC-to-DC converters

Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 150 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1;

[1]

100

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

109

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

V_GS= 4.5 V; I_D= 10 A;

V_DS= 12 V; see Figure 14;

see Figure 15

9.2

Q_G(tot)

total gate charge

V_GS= 4.5 V; I_D= 10 A;

V_DS= 12 V; see Figure 14;

see Figure 15

Static characteristics

R_DSon

drain-source

on-state resistance

V_GS= 10 V; I_D= 15 A;

T_j= 25 °C

1.13 1.5

mΩ

[1] Continuous current is limited by package.

12 3 4 5 6 7...13

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与PSMN1R5-25YL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN1R5-25YL,115	NXP	获取价格	PSMN1R5-25YL - N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin
PSMN1R5-30BLE	NEXPERIA	获取价格	N-channel 30 V 1.5 mΩ logic level MOSFET in D
PSMN1R5-30BLE,118	NXP	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 30V, 0.00185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
PSMN1R5-30YL	NXP	获取价格	N-channel 30 V 1.5 mΩ logic level MOSFET in L
PSMN1R5-30YL,115	NXP	获取价格	PSMN1R5-30YL - N-channel 30 V 1.5 mΩ logic le
PSMN1R5-30YLC	NXP	获取价格	100A, 30V, 0.00205ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, POWER-SO8, LFPAK-4
PSMN1R5-30YLC	NEXPERIA	获取价格	N-channel 30 V 1.55mΩ logic level MOSFET in L
PSMN1R5-30YLC,115	ETC	获取价格	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
PSMN1R5-40ES,127	NXP	获取价格	PSMN1R5-40ES - N-channel 40 V 1.6 mΩ standard
PSMN1R5-40PS	NXP	获取价格	NextPower 25 V & 30 V MOSFETs in LFPAK(Power-SO8)

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