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PSMN1R2-25YLC

更新时间： 2024-09-16 21:22:31

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	327K
描述
100A, 25V, 0.0017ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, POWER-SO8, LFPAK-4

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PSMN1R2-25YLC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, POWER-SO8, LFPAK-4	针数：	235
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	其他特性：	HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	178 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.0017 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-235
JESD-30 代码：	R-PSSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1133 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PSMN1R2-25YLC 数据手册

PSMN1R2-25YLC

LFP

N-channel 25 V 1.3 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using

NextPower technology

Rev. 1 — 2 May 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK package. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

High reliability Power SO8 package,

Ultra low QG, QGD and QOSS for high

system efficiencies at low and high

loads

qualified to 175°C

Optimised for 4.5V Gate drive utilising

NextPower Superjunction technology

Ultra low Rdson and low parasitic

inductance

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Lithium-ion battery protection

Load switching

Power OR-ing

Server power supplies

Sync rectifier

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source voltage

drain current

25 °C ≤ T_j≤ 175 °C

[1]

I_D

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

100

P_tot

T_j

total power dissipation T_mb= 25 °C; see Figure 2

junction temperature

179

-55

175 °C

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 4.5 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C;

see Figure 12

1.35 1.7

1.05 1.3

mΩ

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C;

see Figure 12

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN1R2-25YLC,115	NXP	获取价格	PSMN1R2-25YLC - N-channel 25 V 1.3 mΩ logic l
PSMN1R2-25YLD	NEXPERIA	获取价格	N-channel 25 V, 1.2 mΩ, 230 A logic level MOS
PSMN1R2-30YLC	NXP	获取价格	N-channel 30 V 1.25mΩ logic level MOSFET in L
PSMN1R2-30YLC	NEXPERIA	获取价格	N-channel 30 V 1.25mΩ logic level MOSFET in L
PSMN1R2-30YLC,115	NXP	获取价格	PSMN1R2-30YLC - N-channel 30 V 1.25mΩ logic l
PSMN1R2-30YLD	NEXPERIA	获取价格	N-channel 30 V, 1.2 mΩ, 250 A logic level MOS
PSMN1R2-55SLH	NEXPERIA	获取价格	N-channel 55 V, 1.03 mOhm, 330 A logic level Application Specific MOSFET in LFPAK88Product
PSMN1R3-30YL	NXP	获取价格	N-channel 30 V 1.3 mΩ logic level MOSFET in L
PSMN1R3-30YL	NEXPERIA	获取价格	N-channel 30 V 1.3 mΩ logic level MOSFET in L
PSMN1R3-30YL,115	NXP	获取价格	PSMN1R3-30YL - N-channel 30 V 1.3 mΩ logic le

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