Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> PSMN1R2-30YLC

PSMN1R2-30YLC

更新时间： 2024-09-16 10:00:23

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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15页	342K
描述
N-channel 30 V 1.25mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology

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PSMN1R2-30YLC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, POWER-SO8, LFPAK-4	针数：	235
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	209 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.00165 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-235	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1237 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	PURE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PSMN1R2-30YLC 数据手册

PSMN1R2-30YLC

LFP

N-channel 30 V 1.25mΩ logic level MOSFET in LFPAK using

NextPower technology

Rev. 1 — 3 May 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK package. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

High reliability Power SO8 package,

Ultra low QG, QGD, and QOSS for

high system efficiencies at low and

high loads

qualified to 175°C

Optimised for 4.5V Gate drive utilising

NextPower Superjunction technology

Ultra low Rdson and low parasitic

inductance

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Lithium-ion battery protection

Load switching

Power OR-ing

Server power supplies

Sync rectifier

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source voltage

drain current

25 °C ≤ T_j≤ 175 °C

[1]

I_D

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

100

P_tot

T_j

total power dissipation T_mb= 25 °C; see Figure 2

junction temperature

215

-55

175 °C

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state V_GS= 4.5 V; I_D= 25 A;

1.35 1.65 mΩ

1.05 1.25 mΩ

resistance

T_j= 25 °C;

see Figure 12

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C;

see Figure 12

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN1R2-30YLC,115	NXP	获取价格	PSMN1R2-30YLC - N-channel 30 V 1.25mΩ logic l
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