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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.67 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 178 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (ID)： | 100 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0017 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MO-235 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1133 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PSMN1R2-25YLC,115 | NXP |
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PSMN1R2-25YLC - N-channel 25 V 1.3 mΩ logic l |
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| PSMN1R2-25YLD | NEXPERIA |
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N-channel 25 V, 1.2 mΩ, 230 A logic level MOS |
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| PSMN1R2-30YLC | NXP |
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N-channel 30 V 1.25mΩ logic level MOSFET in L |
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| PSMN1R2-30YLC | NEXPERIA |
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N-channel 30 V 1.25mΩ logic level MOSFET in L |
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| PSMN1R2-30YLC,115 | NXP |
获取价格 |
PSMN1R2-30YLC - N-channel 30 V 1.25mΩ logic l |
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| PSMN1R2-30YLD | NEXPERIA |
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N-channel 30 V, 1.2 mΩ, 250 A logic level MOS |
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| PSMN1R2-55SLH | NEXPERIA |
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N-channel 55 V, 1.03 mOhm, 330 A logic level Application Specific MOSFET in LFPAK88Product |
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| PSMN1R3-30YL | NXP |
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N-channel 30 V 1.3 mΩ logic level MOSFET in L |
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| PSMN1R3-30YL | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 30 V 1.3 mΩ logic level MOSFET in L |
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| PSMN1R3-30YL,115 | NXP |
获取价格 |
PSMN1R3-30YL - N-channel 30 V 1.3 mΩ logic le |
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