Datasheet > PSMN1R2-25YL

PSMN1R2-25YL

更新时间： 2024-11-06 10:00:23

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
13页	213K
描述
N-channel 25 V 1.2 mΩ logic level MOSFET in LFPAK

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PSMN1R2-25YL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, LFPAK-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.18
雪崩能效等级（Eas）：	677 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	100 A	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.00185 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	121 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	815 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PSMN1R2-25YL 数据手册

PSMN1R2-25YL

N-channel 25 V 1.2 mΩ logic level MOSFET in LFPAK

Rev. 01 — 25 June 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 150 °C. This product is

designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic

equipment.

1.2 Features and benefits

Advanced TrenchMOS provides low

Improved mechanical and thermal

RDSon and low gate charge

characteristics

High efficiency gains in switching

LFPAK provides maximum power

power converters

density in a Power SO8 package

1.3 Applications

DC-to-DC converters

Lithium-ion battery protection

Load switching

Motor control

Server power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 150 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

drain current

T_mb= 25 °C; V_GS= 10 V;

see Figure 1

[1]

100

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

121

150

T_j

junction temperature

-55

°C

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

drain-source

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C;

I_D= 100 A; V_sup≤ 25 V;

R_GS= 50 Ω; unclamped

677

avalanche energy

Dynamic characteristics

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 4.5 V; I_D= 25 A;

V_DS= 12 V; see Figure 12;

see Figure 13

11.9

50.6

Q_G(tot)

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

PSMN1R2-25YL 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PSMN1R2-25YL	NEXPERIA	功能相似	N-channel 25 V 1.2 mΩ logic level MOSFET in L

与PSMN1R2-25YL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PSMN1R2-25YLC	NXP	获取价格	100A, 25V, 0.0017ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, POWER-SO8, LFPAK-4
PSMN1R2-25YLC	NEXPERIA	获取价格	N-channel 25 V 1.3 mΩ logic level MOSFET in L
PSMN1R2-25YLC,115	NXP	获取价格	PSMN1R2-25YLC - N-channel 25 V 1.3 mΩ logic l
PSMN1R2-25YLD	NEXPERIA	获取价格	N-channel 25 V, 1.2 mΩ, 230 A logic level MOS
PSMN1R2-30YLC	NXP	获取价格	N-channel 30 V 1.25mΩ logic level MOSFET in L
PSMN1R2-30YLC	NEXPERIA	获取价格	N-channel 30 V 1.25mΩ logic level MOSFET in L
PSMN1R2-30YLC,115	NXP	获取价格	PSMN1R2-30YLC - N-channel 30 V 1.25mΩ logic l
PSMN1R2-30YLD	NEXPERIA	获取价格	N-channel 30 V, 1.2 mΩ, 250 A logic level MOS
PSMN1R2-55SLH	NEXPERIA	获取价格	N-channel 55 V, 1.03 mOhm, 330 A logic level Application Specific MOSFET in LFPAK88Product
PSMN1R3-30YL	NXP	获取价格	N-channel 30 V 1.3 mΩ logic level MOSFET in L

与PSMN1R2-25YL相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PSMN1R2-25YL

PSMN1R2-25YL 技术参数

PSMN1R2-25YL 数据手册

PSMN1R2-25YL 替代型号

与PSMN1R2-25YL相关器件

与PSMN1R2-25YL相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PSMN1R2-25YL

PSMN1R2-25YL 技术参数

PSMN1R2-25YL 数据手册

PSMN1R2-25YL 替代型号

与PSMN1R2-25YL相关器件

与PSMN1R2-25YL相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？