5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A | 最大漏源导通电阻： | 45 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 460 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 1.39 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMDF4N01ZR2 | MOTOROLA |
获取价格 |
4500mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
|
| MMDF4N02 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| MMDF4P03HD | MOTOROLA |
获取价格 |
DUAL TMOS POWER MOSFET 30 VOLTS |
|
| MMDF4P03HDR2 | ONSEMI |
获取价格 |
4A, 30V, 0.085ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MINIATURE, CASE 751-07, SO-8 |
|
| MMDF5N02Z | MOTOROLA |
获取价格 |
DUAL TMOS POWER MOSFET 5.0 AMPERES 20 VOLTS |
|
| MMDF5N02ZR2 | ONSEMI |
获取价格 |
5000mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SO-8 |
|
| MMDF6N02HD | MOTOROLA |
获取价格 |
DUAL TMOS POWER MOSFET 6.0 AMPERES 20 VOLTS |
|
| MMDF6N02HDR2 | ROCHESTER |
获取价格 |
6500mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MINIATURE, CASE 751-07, SOP-8 |
|
| MMDF6N02HDR2 | MOTOROLA |
获取价格 |
6500mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
|
| MMDF6N03HD | MOTOROLA |
获取价格 |
DUAL TMOS POWER MOSFET 30 VOLTS |
|
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
