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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MMDJ3N03BJT
MMDJ3N03BJT PDF预览

MMDJ3N03BJT

更新时间： 2024-11-08 22:13:55
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 126K
描述
DUAL BIPOLAR POWER TRANSISTOR NPN SILICON 30 VOLTS 3 AMPERES

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MMDJ3N03BJT 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.46
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：60JESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：8最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

MMDJ3N03BJT 数据手册

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by MMDJ3N03BJT/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
SO–8 for Surface Mount Applications  
Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.  
DUAL BIPOLAR  
POWER TRANSISTOR  
NPN SILICON  
•
•
Collector –Emitter Sustaining Voltage — V  
CEO(sus)  
= 30 Vdc (Min) @ I = 10 mAdc  
C
30 VOLTS  
3 AMPERES  
High DC Current Gain — h  
FE  
= 100 Vdc (Min) @ I = 1.0 Adc  
C
= 90 Vdc (Min) @ I = 3.0 Adc  
C
•
•
Low Collector –Emitter Saturation Voltage — V  
CE(sat)  
= 0.235 Vdc (Max) @ I = 1.2 Adc  
C
= 0.5 Vdc (Max) @ I = 5.0 Adc  
C
Miniature SO–8 Surface Mount Package – Saves Board Space  
CASE 751–05, Style 16  
(SO–8)  
C
C
E
B
E
1
2
3
4
8
7
6
5
Collector–1  
Collector–1  
Collector–2  
Collector–2  
Emitter–1  
Base–1  
B
Emitter–2  
Base–2  
Schematic  
MARKING: 3N3BJT  
ENG  
Top View  
Pinout  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Collector–Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CB  
45  
30  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
EB  
± 8.0  
Collector Current — Continuous  
Collector Current — Peak  
I
C
3.0  
5.0  
Base Current — Continuous  
I
1.0  
Adc  
C
B
Operating and Storage Junction Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Thermal Resistance – Junction to Ambient  
R
62.5  
C/W  
θJA  
(1)  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
P
D
2.0  
16  
Watts  
mW/ C  
Maximum Temperature for Soldering  
T
L
260  
C
(1) Mounted on 2” sq. FR–4 board (1” sq. 2 oz. Cu 0.06” thick single sided) with one die operating, 10 seconds max.  
This document contains information on a new product. Specifications and information are subject to change without notice.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1996
1234

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与MMDJ3N03BJT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMDJ3N03BJTR2 ONSEMI

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 		Plastic Power Transistors
MMDJ3P03BJT MOTOROLA

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 		DUAL BIPOLAR POWER TRANSISTOR PNP SILICON 30 VOLTS 3 AMPERES
MMDJ3P03BJTR2G ONSEMI

获取价格

 		3A, 30V, 2 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SOIC-8
MMDJ-65601L-25/883:D TEMIC

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 		Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, CDFP32,
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 		Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, CDFP32,
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MMDJ-65601L-25SHXXX:D TEMIC

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 		Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, CDFP32,
MMDJ-65601L-25SHXXX:R TEMIC

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 		Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, CDFP32,

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