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MMDJ3P03BJTR2G

更新时间： 2024-09-15 14:53:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 92K
描述
3A, 30V, 2 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SOIC-8

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MMDJ3P03BJTR2G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：PLASTIC, SOIC-8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.77
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：90
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：110 MHzBase Number Matches：1

MMDJ3P03BJTR2G 数据手册

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ON Semiconductort  
MMDJ3P03BJT  
Plastic Power Transistors  
SO–8 for Surface Mount Applications  
ON Semiconductor Preferred Device  
DUAL BIPOLAR  
POWER TRANSISTOR  
PNP SILICON  
• Collector –Emitter Sustaining Voltage —  
V
= 30 Vdc (Min) @ I = 10 mAdc  
CEO(sus)  
C
30 VOLTS  
3 AMPERES  
• High DC Current Gain —  
= 125 (Min) @ I = 0.8 Adc  
h
FE  
C
= 90 (Min) @ I = 3.0 Adc  
C
• Low Collector –Emitter Saturation Voltage —  
= 0.24 Vdc (Max) @ I = 1.2 Adc  
V
CE(sat)  
C
= 0.55 Vdc (Max) @ I = 3.0 Adc  
C
• Miniature SO–8 Surface Mount Package – Saves Board Space  
C
C
E
CASE 751–07, Style 16  
(SO–8)  
B
E
1
2
3
4
8
7
6
5
Collector-1  
Collector-1  
Collector-2  
Collector-2  
Emitter-1  
Base-1  
B
Emitter-2  
Base-2  
Schematic  
Top View  
Pinout  
MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise noted)  
Rating  
Collector–Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CB  
45  
30  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
EB  
±6.0  
Collector Current — Continuous  
Collector Current — Peak  
I
C
3.0  
5.0  
Base Current — Continuous  
I
B
1.0  
Adc  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T , T  
–55 to +150  
_C  
J
stg  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance – Junction to Ambient on 1″ sq. (645 sq. mm)  
Collector pad on FR–4 board material with one die operating.  
Thermal Resistance – Junction to Ambient on 0.012″ sq. (7.6 sq. mm)  
Collector pad on FR–4 board material with one die operating.  
R
_C/W  
θ
JA  
100  
185  
Total Power Dissipation @ T = 25_C mounted on 1″ sq. (645 sq. mm)  
P
D
A
Collector pad on FR–4 board material with one die operating.  
1.25  
10  
Watts  
mW/_C  
Derate above 25_C  
Maximum Temperature for Soldering  
T
L
260  
_C  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
April, 2001 – Rev. 4  
MMDJ3P03BJT/D  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMDJ-65601L-25/883:D TEMIC

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 		Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, CDFP32,
MMDJ-65601L-25:D TEMIC

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 		Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, CDFP32,
MMDJ-65601L-25P883 TEMIC

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 		Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, CDFP32,
MMDJ-65601L-25P883:D TEMIC

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 		Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, CDFP32,
MMDJ-65601L-25SHXXX TEMIC

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 		Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, CDFP32,
MMDJ-65601L-25SHXXX:D TEMIC

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 		Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, CDFP32,
MMDJ-65601L-25SHXXX:R TEMIC

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 		Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, CDFP32,
MMDJ-65601L-30 TEMIC

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 		Standard SRAM, 1MX1, 30ns, CMOS, CDFP32,
MMDJ-65601L-30/883 TEMIC

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 		Standard SRAM, 1MX1, 30ns, CMOS, CDFP32,
MMDJ-65601L-30/883:R TEMIC

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 		Standard SRAM, 1MX1, 30ns, CMOS, CDFP32,

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