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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SO-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.37 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | ESD PROTECTED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.027 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 155 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMDFS2P102 | MOTOROLA |
获取价格 |
P-Channel Power MOSFET with Schottky Rectifier 20 Volts |
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| MMDFS3P303 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts |
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| MMDFS3P303-D | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts |
|
| MMDFS3P303R2 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts |
|
| MMDFS6N303 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| MMDFS6N303R2 | MOTOROLA |
获取价格 |
6A, 30V, 0.035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8 |
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| MMDJ3N03BJT | MOTOROLA |
获取价格 |
DUAL BIPOLAR POWER TRANSISTOR NPN SILICON 30 VOLTS 3 AMPERES |
|
| MMDJ3N03BJT | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Power Transistors SO−8 for Surface Mount Applications |
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| MMDJ3N03BJTR2 | ONSEMI |
获取价格 |
Plastic Power Transistors |
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| MMDJ3P03BJT | MOTOROLA |
获取价格 |
DUAL BIPOLAR POWER TRANSISTOR PNP SILICON 30 VOLTS 3 AMPERES |
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