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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> MMDFS3P303R2
MMDFS3P303R2 PDF预览

MMDFS3P303R2

更新时间： 2024-09-14 22:14:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 168K
描述
Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts

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MMDFS3P303R2 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：CASE 751-07, SOP-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.35
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A
最大漏极电流 (ID)：3.5 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMDFS3P303R2 数据手册

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MMDFS3P303  
Power MOSFET  
3 Amps, 30 Volts  
P–Channel SO–8, FETKYt  
The FETKY product family incorporates low R  
, MOSFETs  
DS(on)  
http://onsemi.com  
packaged with industry leading, low forward drop, low leakage  
Schottky Barrier rectifiers to offer high efficiency components in a  
space saving configuration. Independent pinouts for MOSFET and  
Schottky die allow the flexibility to use a single component for  
switching and rectification functions in a wide variety of applications  
such as Buck Converter, Buck–Boost, Synchronous Rectification,  
Low Voltage Motor Control, and Load Management in Battery Packs,  
Chargers, Cell Phones and other Portable Products.  
3 AMPERES  
30 VOLTS  
R
= 100 mW  
DS(on)  
V = 0.42 Volts  
F
P–Channel  
• Power MOSFET with Low V , Low I Schottky Rectifier  
F
R
• Lower Component Placement and Inventory Costs along with  
Board Space Savings  
D
• R2 Suffix for Tape and Reel (2500 units/13″ reel)  
• Mounting Information for SO–8 Package Provided  
G
• I  
Specified at Elevated Temperature  
DSS  
• Applications Information Provided  
• Marking: 3P303  
S
MARKING  
DIAGRAM  
MOSFET MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
(Notes 1. & 2.)  
J
Rating  
Drain–to–Source Voltage  
Drain–to–Gate Voltage (R  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
SO–8  
CASE 751  
STYLE 18  
6N303  
LYWW  
V
DSS  
8
= 1.0 MW)  
V
DGR  
30  
GS  
1
Gate–to–Source Voltage – Continuous  
V
GS  
"20  
Drain Current  
– Continuous @ T = 25°C  
– Continuous @ T = 100°C  
– Single Pulse (tp v 10 ms)  
L
Y
WW  
= Location Code  
= Year  
= Work Week  
I
I
3.5  
2.25  
12  
Adc  
A
A
D
D
I
Apk  
DM  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
(Note 3.)  
P
D
2.0  
Watts  
A
PIN ASSIGNMENT  
Single Pulse Drain–to–Source Avalanche  
E
375  
mJ  
Anode  
Anode  
Source  
Cathode  
Cathode  
Drain  
AS  
1
2
3
4
8
7
6
5
Energy – STARTING T = 25°C  
J
V
= 30 Vdc, V  
= 10 Vdc, V  
= 20 Vdc,  
= 9.0 Apk, L = 10 mH, R = 25 W  
DD  
L
GS  
DS  
I
G
Gate  
Drain  
1. Negative sign for P–channel device omitted for clarity.  
2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 250 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
3. Mounted on 2″ square FR4 board (1″ sq. 2 oz. Cu 0.06″ thick single sided),  
Top View  
10 sec. max.  
ORDERING INFORMATION  
Device  
MMDFS3P303R2  
Package  
Shipping  
2500 Tape & Reel  
SO–8  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
November, 2000 – Rev. 2  
MMDFS3P303/D  
1234567...12

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MMDFS3P303R2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTMD4184PFR2G ONSEMI

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MMDFS6N303R2 MOTOROLA

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 		6A, 30V, 0.035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8
MMDJ3N03BJT MOTOROLA

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MMDJ3N03BJT ONSEMI

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MMDJ-65601L-25/883:D TEMIC

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 		Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, CDFP32,
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