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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A | 最大漏源导通电阻： | 45 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 460 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 1.39 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMDF4N02 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| MMDF4P03HD | MOTOROLA |
获取价格 |
DUAL TMOS POWER MOSFET 30 VOLTS |
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| MMDF4P03HDR2 | ONSEMI |
获取价格 |
4A, 30V, 0.085ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MINIATURE, CASE 751-07, SO-8 |
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| MMDF5N02Z | MOTOROLA |
获取价格 |
DUAL TMOS POWER MOSFET 5.0 AMPERES 20 VOLTS |
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| MMDF5N02ZR2 | ONSEMI |
获取价格 |
5000mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SO-8 |
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| MMDF6N02HD | MOTOROLA |
获取价格 |
DUAL TMOS POWER MOSFET 6.0 AMPERES 20 VOLTS |
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| MMDF6N02HDR2 | ROCHESTER |
获取价格 |
6500mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MINIATURE, CASE 751-07, SOP-8 |
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| MMDF6N02HDR2 | MOTOROLA |
获取价格 |
6500mA, 20V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| MMDF6N03HD | MOTOROLA |
获取价格 |
DUAL TMOS POWER MOSFET 30 VOLTS |
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| MMDF6N03HD | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 6 Amps, 30 Volts |
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