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IXGP30N60C3C1

更新时间: 2024-02-23 04:10:55
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IXYS 二极管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 281K
描述
GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode

IXGP30N60C3C1 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.63
Base Number Matches:1

IXGP30N60C3C1 数据手册

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IXGA30N60C3C1 IXGP30N60C3C1  
IXGH30N60C3C1  
TO-263 (IXGA) Outline  
TO-220 (IXGP) Outline  
Pins: 1 - Gate  
3 - Source  
2 - Drain  
4 - Drain  
TO-247 (IXTH) Outline  
Dim.  
Millimeter  
Min. Max.  
Inches  
Min. Max.  
A
A1  
A2  
4.7  
2.2  
2.2  
5.3  
2.54  
2.6  
.185 .209  
.087 .102  
.059 .098  
b
b1  
b2  
1.0  
1.65  
2.87  
1.4  
2.13  
3.12  
.040 .055  
.065 .084  
.113 .123  
P  
1
2
3
C
D
E
.4  
.8  
.016 .031  
.819 .845  
.610 .640  
20.80 21.46  
15.75 16.26  
e
5.20  
5.72 0.205 0.225  
L
L1  
19.81 20.32  
4.50  
.780 .800  
.177  
e
P 3.55  
3.65  
.140 .144  
Q
5.89  
6.40 0.232 0.252  
Terminals: 1 - Gate  
2 - Drain  
R
4.32  
5.49 .170 .216  
© 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  

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