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IXBT16N170AHV

更新时间： 2024-09-15 13:08:55

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IXYS		晶体双极型晶体管开关电动机控制瞄准线双极性晶体管栅
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2页	54K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IXBT16N170AHV 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	8.42	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

IXBT16N170AHV 数据手册

Advanced Technical Information

High Voltage, High Gain

BIMOSFET^TMMonolithic

BipolarMOSTransistor

IXBH 16N170A

IXBT 16N170A

V_CES= 1700 V

I_C25= 16 A

V_CE(sat)= 6.0 V

t_fi(typ)

= 50 ns

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-268

(IXBT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1700

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-247 AD (IXBH)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 33 W

Clampedinductiveload

I_CM

V_CES

1350

C (TAB)

t_SC

(SCSOA)

V_GE= 15 V, V_CES= 1200V, T_J= 125°C

R_G= 33 W non repetitive

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

P_C

T_C= 25°C

150

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

T_JM

T_stg

• Monolithicfastreversediode

• HighBlockingVoltage

-55 ... +150

• JEDEC TO-268 surface mount and

JEDEC TO-247 AD packages

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum tab temperature for soldering SMD devices for 10 s

300

260

°C

• Low switching losses

• Highcurrenthandlingcapability

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

• Molding epoxies meet UL94V-0

flammabilityclassification

M_d

Mountingtorque(M3)(TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• AC motor speed control

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

1700

2.5

5.5

• Capacitor discharge circuits

I_CES

V_CE= 0.8 V_CES

V_GE= 0 V; Note 1

50 mA

1.5 mA

Advantages

T_J= 125°C

• Lower conduction losses than MOSFETs

• High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

• Suitableforsurfacemounting

• Easy to mount with 1 screw,

(isolatedmountingscrewhole)

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

Note 2

6.0

T_J= 125°C

5.0

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98707(02/23/00)

1 - 2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBT16N360HV	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT20N300	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, PLASTIC,
IXBT20N300	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268,
IXBT20N300HV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel,
IXBT20N300HV	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel,
IXBT20N360HV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
IXBT20N360HV	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT22N300HV	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBT24N170	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268,
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