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IXBT42N170A

更新时间： 2024-11-21 03:00:43

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IXYS		晶体双极型晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	119K
描述
BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

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IXBT42N170A 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.63	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	42 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-268
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	350 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	420 ns
标称接通时间 (ton)：	63 ns	Base Number Matches：	1

IXBT42N170A 数据手册

Advance Technical Information

BIMOSFET^TMMonolithic

Bipolar MOS Transistor

V_CES= 1700 V

I_C25= 42 A

V_CE(sat)= 6.0 V

t_fi= 50 ns

IXBH 42N170A

IXBT 42N170A

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-268(IXBT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

1700

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

120

TO-247AD(IXBH)

SSOA

= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

I_CM

C^Gla^Emped inductive load

V_CES

1350

C (TAB)

(RBSOA)

T_SC

= 15 V, V

= 1200V, T_J= 125°C

(SCSOA)

R^G_G^E= 10 Ω no^Cn^ESrepetitive

T_C= 25°C

µs

G = Gate,

C = Collector,

TAB = Collector

E=Emitter,

P_C

350

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

High Blocking Voltage

JEDEC TO-268 surface and

JEDEC TO-247 AD

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

350

°C

Fast switching

High current handling capability

MOS Gate turn-on

Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s

260

°C

M_d

Mounting torque (M3)

1.13/10Nm/lb.in.

- drive simplicity

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

Weight

TO-247 AD

TO-268

Applications

AC motor speed control

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

Substitutes for high voltage MOSFETs

BV_CES

V_GE(th)

= 250 µA, V_GE= 0 V

1700

2.5

I^C_C= 750 µA, V_CE= V_GE

5.5

Advantages

Lower conduction losses than MOSFETs

I_CES

V_CE= 0.8 V_CES

V_GE= 0 V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

50 µA

High power density

1.5 mA

Suitable for surface mounting

Easy to mount with 1 screw,

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

(isolated mounting screw hole)

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

4.5

5.0

6.0

T_J= 125°C

98939 (7/02)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBT42N170-TRL	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT42N300HV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 104A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel,
IXBT42N300HV	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT6N170	IXYS	获取价格	High Voltage, High Gain BIMOSFET⑩ Monolithic
IXBT6N170	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBX25N250	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBX25N250	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, PLUS247, 3 PIN
IXBX28N300HV	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBX50N360HV	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBX55N300	IXYS	获取价格	High Voltage, High Gain BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

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