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IXBT42N300HV

更新时间： 2024-11-04 21:07:03
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅
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6页 268K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 104A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel,

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IXBT42N300HV 技术参数

生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.73最大集电极电流 (IC)：104 A
集电极-发射极最大电压：3000 V门极发射器阈值电压最大值：5 V
门极-发射极最大电压：25 VJESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：500 W
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

IXBT42N300HV 数据手册

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Preliminary Technical Information  
High Voltage, BiMOSFETTM  
Monolithic Bipolar MOS  
Transistor  
VCES = 3000V  
IC110 = 42A  
VCE(sat) 3.0V  
IXBT42N300HV  
IXBH42N300HV  
TO-268HV (IXBT)  
G
E
Symbol  
VCES  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
C (Tab)  
TC = 25°C to 150°C  
3000  
3000  
V
V
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1M  
TO-247HV (IXBH)  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
± 25  
± 35  
V
V
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C  
104  
42  
A
A
A
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1ms  
G
E
400  
C (Tab)  
C
SSOA  
(RBSOA)  
VGE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 20  
ICM = 84  
1500  
A
V
Clamped Inductive Load  
G = Gate  
E = Emitter  
C
= Collector  
TSC  
(SCSOA)  
VGE = 15V, TJ = 125°C,  
RG = 82, VCE =1500V, Non-Repetitive  
10  
μs  
Tab = Collector  
PC  
TC = 25°C  
500  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
Features  
TJM  
Tstg  
High Voltage Package  
High Blocking Voltage  
-55 ... +150  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
High Peak Current Capability  
Low Saturation Voltage  
FBSOA  
Md  
Mounting Torque (TO-247HV)  
1.13/10  
Nm/lb.in  
SCSOA  
Weight  
TO-268HV  
TO-247HV  
4
6
g
g
Advantages  
Symbol Test Conditions  
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Characteristic Values  
Low Gate Drive Requirement  
High Power Density  
Min.  
3000  
3.0  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 1mA, VGE = 0V  
IC = 1mA, VCE = VGE  
VCE = 0.8 • VCES, VGE = 0V  
V
V
5.0  
50 μA  
μA  
Applications  
TJ = 125°C  
TJ = 125°C  
250  
Laser Generators  
Capacitor Discharge Circuits  
AC Switches  
Protection Circuits  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ± 25V  
±200 nA  
VCE(sat)  
IC = 42A, VGE = 15V, Note 1  
2.5  
3.1  
3.0  
V
V
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100512A(12/14)  
123456

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